NE3520S03-T1C-A
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Artikelnummer: | NE3520S03-T1C-A |
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Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 2 V |
Spannung - Nennwert | 4 V |
Technologie | HFET |
Supplier Device-Gehäuse | 4-SMD |
Serie | - |
Leistung | - |
Verpackung / Gehäuse | 4-SMD, Flat Leads |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Rauschmaß | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 13.5dB |
Frequenz | 20GHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | 70mA |
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
FET RF 4V 20GHZ S03
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
FET RF 4V 20GHZ S03
FET RF 4V 20GHZ S03
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NE3520S03-T1C-ARenesas Electronics America Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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